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サムスンがiPhoneに適した1TBフラッシュストレージチップの量産を開始

galaxys10renderingサムスンは何を開発し始めました それは言う は、同社の第5世代V-NANDを搭載した、最初の1テラバイトの組み込みユニバーサルフラッシュストレージ(eUFS)ストレージチップです。





サムスンによると、ほとんどのAndroidフォンには所有者がデバイスの内部容量をアップグレードできるmicroSDスロットが含まれていますが、新しい1TBチップは、追加のメモリカードを必要とせずにノートブックに匹敵するストレージ容量レベルを提供します。

「1TBeUFSは、よりノートブックのようなユーザーエクスペリエンスを次世代のモバイルデバイスにもたらす上で重要な役割を果たすことが期待されています」とSamsungElectronicsのメモリセールスおよびマーケティング担当EVPであるCheolChoiは述べています。



「さらに、Samsungは、世界のモバイル市場の成長を加速する次の主力スマートフォンのタイムリーな発売をサポートするために、最も信頼性の高いサプライチェーンと適切な生産量を保証することに取り組んでいます。」

eUFSテクノロジーは、大容量を提供するだけでなく、標準のソリッドステートストレージやmicroSDカードよりも高速になるように設計されており、パッケージサイズが同じであるにもかかわらず、1,000MB /秒のシーケンシャル読み取り速度と58,000IOPSのランダム読み取り速度を提供します。同社の512GBフラッシュチップとして。

サムスンによると、ランダムな速度により、毎秒960フレームの高速連続撮影が可能になり、スマートフォンユーザーは現在および将来のフラッグシップモデルのマルチカメラ機能を最大限に活用できるようになります。

サムスンは2017年12月に512GBのストレージチップの量産を開始し、翌年には新しいフラッグシップ電話でこの技術を発表しました。同様の展開を想定すると、Samsungの次期Galaxy S10には、同社の新しいeUFSテクノロジーのおかげで、1TBのストレージ容量オプションが付属する可能性があります。

一方、Samsungは、世界中のモバイルデバイスメーカーからの1TB eUFSに対する予想される強い需要に対応するために、2019年上半期に韓国の平沢工場で第5世代512GBV-NANDの生産を拡大する予定です。

NANDタイプのメモリソリューションのリーダーとして、Samsungは2017年からAppleにフラッシュメモリチップを供給しています。この開発はAppleの将来に使用されるメモリに影響を与える可能性が最も高いようですが iPhoneiPad 製品では、Samsungのメモリは、フラッシュストレージに大きく依存するようになった将来のMacに現れる可能性があります。

Appleの2018 iPad Pro モデルは、‌ iPhone‌で提供される最大容量である1TBストレージで利用できます。または‌ iPad‌現在まで。